具有超低矫顽力场的铁电 Hf(Zr)1+xO2 电容器中的稳定菱面体相 氧化铪（HfO2）铁电性的发现再次激发了人们对铁电器件的兴趣。铁电氧化铪在纳米厚度上表现出强大的电偶极子，并且与现代互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容。与CMOS 的兼容性使超高密度铁电 ...

本研究针对铁电HfxZr1-xO2(HZO)薄膜极化切换路径不明的关键问题，通过理论预测与实验验证，首次揭示了以非极性四方相(T-phase ...