HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此，研究辐照位移损伤及其影响对HfO 2 基铁电存储的大规模制造与应用意义 ...

本研究针对HfO2基铁电材料极性相亚稳态难题，通过设计高质量外延(HfO2)n/(ZrO2)n超晶格结构，实现了厚度范围达100 nm的稳定铁电 ...

为解决高k材料HfO2 -ZrO2 纳米叠层结构中氧空位导致的漏电流增加和介电常数降低问题，韩国研究人员通过调控氧后沉积退火（PDA）的氧气流量（30-50 sccm），发现50 sccm处理使样品介电常数提升至25.1，漏电流密度低于10-8 A/cm2 （1 V下），同时促进t相形成。该研究为 ...

HfO2 材料，是集成电路互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺中常用的一种 high-k 材料，制备工艺较为成熟。 因此，当学界在 HfO2 基材料中发现铁电特性之后，氧化铪基铁电存储器被认为是最有潜力的下一代非易失性存储器。 但是 ...