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沉积温度与前驱体化学对原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜性能的影响及其在 ...

本研究针对超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜在铁电存储器应用中存在的厚度限制与唤醒效应问题，通过对比环戊二烯基(CP)与四乙基甲基氨基(TEMA)前驱体在原子层沉积(ALD)中的性能差异，发现CP前驱体在330°C高温沉积下可实现5 nm厚度薄膜的稳定铁电性，无需唤醒过程，且 ...